本設備是由石英坩堝(或氧化鋁陶瓷坩堝)和不銹鋼法蘭組成的真空坩堝爐。主要用于煅燒真空或惰性氣體保護下的高純度化合物或擴散半導體晶片,也可用于烘燒或燒結陶瓷材料。
型號 | QSH-VCF-1200T | QSH-VCF-1400T | QSH-VCF-1600T |
爐膛尺寸 | O.D.205 x I.D.190 x H340 | O.D.160 x I.D.140 x H200 | O.D.150 x I.D.130 x H200 |
最高工作溫度 | 1200 ℃ | 1400 ℃ | 1600 ℃ |
工作溫度 | 1100 ℃ | 1300 ℃ | 1500 ℃ |
加熱元件 | 含鉬電阻絲 | 硅碳棒 | 硅鉬棒 |
控溫方式 | 51段可編程自動控制 | ||
升溫速率 | 0~20 ℃/分 | ||
溫控精度 | ± 1℃ | ||
最大真空度 | -0.1MPa | ||
爐膛材料 | 氧化鋁陶瓷纖維板 | ||
爐殼 | 雙層風冷結構 | ||
額定電壓 | 220V/380V 50/60Hz |
備注:特殊規格可根據客戶要求定制。
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